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首頁進口晶振SiTime晶振,石英晶振,SiT8924B晶振

SiTime晶振,石英晶振,SiT8924B晶振

產品型號：41670935
頻率：1~110MHZ
尺寸：3.2*2.5mm
產品介紹：OEMs和ODMs接受了石英定時裝置固有的局限性.現在,有了強大的MEMS諧振器和高性能模擬電路,SiTime晶振公司已經開發出突破石英器件限制的突破性解決方案,研發出高性能...

SiTime晶振,石英晶振,SiT8924B晶振,OEMs和ODMs接受了石英定時裝置固有的局限性.現在,有了強大的MEMS諧振器和高性能模擬電路,SiTime晶振公司已經開發出突破石英器件限制的突破性解決方案,研發出高性能貼片晶振,石英晶體振蕩器,可編程石英晶體振蕩器等.
有源晶振高頻振蕩器使用IC與晶片設計匹配技術：有源晶振是高頻振蕩器研發及生產過程必須要解決的技術難題。在設計過程中除了要考慮石英晶體諧振器具有的電性外，還有石英晶體振蕩器的電極設計等其它的特殊性，必須考慮石英晶體振蕩器的供應電壓、起動電壓和產品上升時間、下降時間等相關參數。

項目	符號	SiT8924B晶振規格說明	條件
輸出頻率范圍	f₀	1 MHz to 110MHz	請聯系我們以便獲取其它可用頻率的相關信息
電源電壓	V_CC	1.60 V to 3.63 V	請聯系我們以了解更多相關信息
儲存溫度	T_stg	-55℃ to +125℃	裸存
工作溫度	T_use	G: -40℃ to +85℃	請聯系我們查看更多資料http://www.web3dchina.com
		H: -40℃ to +105℃
		J: -40℃ to +125℃
頻率穩定度	f_tol	J: ±50 × 10^-6
		L: ±100 × 10^-6
		T: ±150 × 10^-6
功耗	I_CC	3.5 mA Max.	無負載條件、最大工作頻率
待機電流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF
輸出電壓	V_OH	V_CC-0.4V Min.
輸出電壓	V_OL	0.4 V Max.
輸出負載條件	L_CMOS	15 pF Max.
輸入電壓	V_IH	80% V_CC Max.	ST 終端
輸入電壓	V_IL	20 % V_CC Max.	ST 終端
上升/下降時間	tr / tf	4 ns Max.	20 % V_CC to 80 % V_CC 極, L_CMOS=15 pF
振蕩啟動時間	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
頻率老化	f_aging	±3 × 10^-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

OSC晶振和實時時鐘模塊：
所有石英晶體振蕩器和實時時鐘模塊都以IC形式提供。
噪音
在電源或輸入端上施加執行級別(過高)的不相干(外部的)噪音,可能導致會引發功能失常或擊穿的閉門或雜散現象。
電源線路
電源的線路阻抗應盡可能低。
輸出負載
建議將石英晶振輸出負載安裝在盡可能靠近振蕩器的地方（在20 mm范圍之間）。
未用輸入終端的處理
未用針腳可能會引起噪聲響應,從而導致非正常工作。同時,當P通道和N通道都處于打開時,電源功率消耗也會增加；因此,請將未用輸入終端連接到VCC 或GND。
熱影響
重復的溫度巨大變化可能會降低受損害的石英晶振產品特性,并導致塑料封裝里的線路擊穿。必須避免這種情況。
安裝方向
振蕩器的不正確安裝會導致故障以及崩潰,因此安裝時,請檢查安裝方向是否正確。
通電
不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會導致無法產生振蕩和/或非正常工作，SiTime晶振,石英晶振,SiT8924B晶振

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